| Hersteller-Teilenummer | 1N5809US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Dioden - Gleichrichter - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 78850 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | 1N5809US.pdf |
| Artikelnummer | 1N5809US |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | 1N5809US |
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