Hersteller-Teilenummer | APTM50DDAM65T3G |
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Hersteller | Microsemi Corporation |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 193680 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | APTM50DDAM65T3G.pdf |
Artikelnummer | APTM50DDAM65T3G |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 51A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Leistung max | 390W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP3 |
Lieferantengerätepaket | SP3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | APTM50DDAM65T3G |
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