Hersteller-Teilenummer | EPC2019 |
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Hersteller | EPC |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 130370 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | EPC2019.pdf |
Artikelnummer | EPC2019 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 7A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Die |
Paket / Fall | Die |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | EPC2019 |
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