| Hersteller-Teilenummer | EPC2110ENGRT |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 175500 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | EPC2110ENGRT.pdf |
| Artikelnummer | EPC2110ENGRT |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Eigenschaft | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 120V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | EPC2110ENGRT |
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