Hersteller-Teilenummer | FDD6680AS |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 65380 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | FDD6680AS.pdf |
Artikelnummer | FDD6680AS |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 60W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | FDD6680AS |
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