| Hersteller-Teilenummer | FDMS3660S |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 180100 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | FDMS3660S.pdf |
| Artikelnummer | FDMS3660S |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | Power56 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | FDMS3660S |
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