Global Power Technologies Group Verteiler www.qycomp.com GP1M009A090H
Hersteller-TeilenummerGP1M009A090H
HerstellerGlobal Power Technologies Group
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl53250 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 900V 9A TO220
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen GP1M009A090H.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer GP1M009A090H
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2324pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil GP1M009A090H

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