Infineon Technologies Verteiler www.qycomp.com IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller-TeilenummerIPD80R1K4P7ATMA1
HerstellerInfineon Technologies
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl156640 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPD80R1K4P7ATMA1.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 500V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 32W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil IPD80R1K4P7ATMA1

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