Hersteller-Teilenummer | IPG20N06S2L50AATMA1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 185080 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IPG20N06S2L50AATMA1.pdf |
Artikelnummer | IPG20N06S2L50AATMA1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 19µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Leistung max | 51W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-10 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IPG20N06S2L50AATMA1 |
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