| Hersteller-Teilenummer | IRF6662TR1PBF |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 20160 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IRF6662TR1PBF.pdf |
| Artikelnummer | IRF6662TR1PBF |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MZ |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MZ |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | IRF6662TR1PBF |
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