Hersteller-Teilenummer | IS43DR86400C-3DBI |
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Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 116600 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IS43DR86400C-3DBI.pdf |
Artikelnummer | IS43DR86400C-3DBI |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 60-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 60-TWBGA (8x10.5) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IS43DR86400C-3DBI |
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