Hersteller-Teilenummer | IXTP1R6N50D2 |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 128110 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IXTP1R6N50D2.pdf |
Artikelnummer | IXTP1R6N50D2 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IXTP1R6N50D2 |
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