Hersteller-Teilenummer | IXTQ200N06P |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 138030 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IXTQ200N06P.pdf |
Artikelnummer | IXTQ200N06P |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 400A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 714W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IXTQ200N06P |
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