Hersteller-Teilenummer | JANTXV1N5809US |
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Hersteller | Microsemi Corporation |
Produktkategorie | Dioden - Gleichrichter - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 144750 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | JANTXV1N5809US.pdf |
Artikelnummer | JANTXV1N5809US |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, B |
Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | JANTXV1N5809US |
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