Hersteller-Teilenummer | SI2312BDS-T1-E3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 117240 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SI2312BDS-T1-E3.pdf |
Artikelnummer | SI2312BDS-T1-E3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SI2312BDS-T1-E3 |
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