| Hersteller-Teilenummer | SI4823DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 123730 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SI4823DY-T1-GE3.pdf |
| Artikelnummer | SI4823DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | SI4823DY-T1-GE3 |
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