Hersteller-Teilenummer | TPH3208LSG |
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Hersteller | Transphorm |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 174790 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | TPH3208LSG.pdf |
Artikelnummer | TPH3208LSG |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 3-PQFN (8x8) |
Paket / Fall | 3-PowerDFN |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | TPH3208LSG |
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