Vishay Semiconductor Diodes Division Verteiler www.qycomp.com VS-GT50TP60N
Hersteller-TeilenummerVS-GT50TP60N
HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Module
verfügbare Anzahl171000 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungIGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen VS-GT50TP60N.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer VS-GT50TP60N
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 85A
Leistung max 208W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.03nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil VS-GT50TP60N

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Vishay Semiconductor Diodes Division Verteiler

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