| Número de pieza del fabricante | 70V657S10BC8 |
|---|---|
| Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 194000 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | 70V657S10BC8.pdf |
| Número de pieza | 70V657S10BC8 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 10ns |
| Tiempo de acceso | 10ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 256-LBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | 70V657S10BC8 |
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