| Número de pieza del fabricante | 71V416S10YG8 |
|---|---|
| Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 181240 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | 71V416S10YG8.pdf |
| Número de pieza | 71V416S10YG8 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous |
| Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 10ns |
| Tiempo de acceso | 10ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | 71V416S10YG8 |
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