| Número de pieza del fabricante | APTM100A13DG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 98090 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | APTM100A13DG.pdf |
| Número de pieza | APTM100A13DG |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 65A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Potencia - Max | 1250W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | APTM100A13DG |
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