| Número de pieza del fabricante | DMN2013UFX-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 59690 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | DMN2013UFX-7.pdf |
| Número de pieza | DMN2013UFX-7 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
| Potencia - Max | 780mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | W-DFN5020-6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | DMN2013UFX-7 |
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