EPC Distribuidor www.qycomp.com EPC2012C
Número de pieza del fabricanteEPC2012C
FabricanteEPC
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible118660 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónTRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos EPC2012C.pdf

Atributos del producto

Número de pieza EPC2012C
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die Outline (4-Solder Bar)
Paquete / caja Die
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
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