| Número de pieza del fabricante | EPC2106ENGRT |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 92840 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | EPC2106ENGRT.pdf |
| Número de pieza | EPC2106ENGRT |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Potencia - Max | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | EPC2106ENGRT |
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