EPC Distribuidor www.qycomp.com EPC2111ENGRT
Número de pieza del fabricanteEPC2111ENGRT
FabricanteEPC
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible44440 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónTRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos EPC2111ENGRT.pdf

Atributos del producto

Número de pieza EPC2111ENGRT
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto EPC2111ENGRT

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