ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDC658AP
Número de pieza del fabricanteFDC658AP
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible40140 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDC658AP.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDC658AP
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso 0.001 KG
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