ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDMS3669S
Número de pieza del fabricanteFDMS3669S
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible147450 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDMS3669S.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDMS3669S
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 15V
Potencia - Max 1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor Power56
Peso 0.001 KG
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