Global Power Technologies Group Distribuidor www.qycomp.com GP1M009A090N
Número de pieza del fabricanteGP1M009A090N
FabricanteGlobal Power Technologies Group
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible115120 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos GP1M009A090N.pdf

Atributos del producto

Número de pieza GP1M009A090N
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2324pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto GP1M009A090N

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