| Número de pieza del fabricante | IPD65R660CFDAATMA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Cantidad disponible | 128730 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPD65R660CFDAATMA1.pdf |
| Número de pieza | IPD65R660CFDAATMA1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3.22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 214.55µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 62.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | IPD65R660CFDAATMA1 |
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