Número de pieza del fabricante | IPG20N06S415AATMA1 |
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Fabricante | Infineon Technologies |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
Cantidad disponible | 186160 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | IPG20N06S415AATMA1.pdf |
Número de pieza | IPG20N06S415AATMA1 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
Potencia - Max | 50W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-10 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | IPG20N06S415AATMA1 |
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