Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPI08CN10N G
Número de pieza del fabricanteIPI08CN10N G
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible160200 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPI08CN10N G.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IPI08CN10N G
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6660pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
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