Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IRF7807D2PBF
Número de pieza del fabricanteIRF7807D2PBF
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible170100 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IRF7807D2PBF.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IRF7807D2PBF
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso 0.001 KG
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