Número de pieza del fabricante | MHE1003NR3 |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
Cantidad disponible | 149520 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | MHE1003NR3.pdf |
Número de pieza | MHE1003NR3 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
Ganancia | 14.1dB |
Voltaje - Prueba | 28V |
Valoración actual | 10µA |
Figura de ruido | - |
Actual - Prueba | 50mA |
Salida de potencia | 53dBm |
Voltaje - Clasificación | 65V |
Paquete / caja | OM-780-2 |
Paquete de dispositivo del proveedor | OM-780-2 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | MHE1003NR3 |
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