Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
categoria de producto | Memoria |
Cantidad disponible | 181000 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B.pdf |
Número de pieza | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5 V ~ 3.6 V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / caja | - |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
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