| Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 161940 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR.pdf |
| Número de pieza | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
| Frecuencia de reloj | 2133MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | - |
| Suministro de voltaje | 1.1V |
| Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
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