| Número de pieza del fabricante | MURTA200120 |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Arreglos |
| Cantidad disponible | 14370 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MURTA200120.pdf |
| Número de pieza | MURTA200120 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 100A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.6V @ 100A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Three Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Three Tower |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MURTA200120 |
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