Rohm Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com R6007KNJTL
Número de pieza del fabricanteR6007KNJTL
FabricanteRohm Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible27300 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos R6007KNJTL.pdf

Atributos del producto

Número de pieza R6007KNJTL
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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