| Número de pieza del fabricante | RN1102MFV,L3F |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados |
| Cantidad disponible | 75190 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | RN1102MFV,L3F.pdf |
| Número de pieza | RN1102MFV,L3F |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
| Frecuencia - Transición | - |
| Potencia - Max | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-723 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VESM |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | RN1102MFV,L3F |
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