| Número de pieza del fabricante | RS1JLHR3G |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Simple |
| Cantidad disponible | 144000 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | RS1JLHR3G.pdf |
| Número de pieza | RS1JLHR3G |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 800mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 800mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 250ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-219AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sub SMA |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | RS1JLHR3G |
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