Número de pieza del fabricante | SSM6N35FE,LM |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
Cantidad disponible | 94290 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6 |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | SSM6N35FE,LM.pdf |
Número de pieza | SSM6N35FE,LM |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
Potencia - Max | 150mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 (1.6x1.6) |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | SSM6N35FE,LM |
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