STMicroelectronics Distribuidor www.qycomp.com STW18N60DM2
Número de pieza del fabricanteSTW18N60DM2
FabricanteSTMicroelectronics
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible162530 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 600V 12A
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos STW18N60DM2.pdf

Atributos del producto

Número de pieza STW18N60DM2
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / caja TO-247-3
Peso 0.001 KG
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