Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com 2N2609
Référence fabricant2N2609
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - JFET
quantité disponible48740 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionJFETS
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique 2N2609.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article 2N2609
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 30V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2mA @ 5V
Drain de courant (Id) - Max 10mA
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 750mV @ 1A
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-18 (TO-206AA)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange 2N2609

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