Référence fabricant | A2I25H060GNR1 |
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Fabricant | NXP USA Inc. |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
quantité disponible | 47520 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC TRANS RF LDMOS |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | A2I25H060GNR1.pdf |
Numéro d'article | A2I25H060GNR1 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 2.59GHz |
Gain | 26.1dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Actuel - Test | 26mA |
Puissance - Sortie | 10.5W |
Tension - Rated | 65V |
Paquet / cas | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
Package de périphérique fournisseur | TO-270WBG-17 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | A2I25H060GNR1 |
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