Référence fabricant | ALD1101APAL |
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Fabricant | Advanced Linear Devices Inc. |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 22000 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | ALD1101APAL.pdf |
Numéro d'article | ALD1101APAL |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET Caractéristique | Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package de périphérique fournisseur | 8-PDIP |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | ALD1101APAL |
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