Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APT100GN60B2G
Référence fabricantAPT100GN60B2G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible175910 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 600V 229A 625W TMAX
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APT100GN60B2G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 229A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A
Puissance - Max 625W
Échange d'énergie 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 600nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31ns/310ns
Condition de test 400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur -
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Microsemi Corporation Distributeur

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