Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APT80SM120B
Référence fabricantAPT80SM120B
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible45650 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionPOWER MOSFET - SIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APT80SM120B
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 555W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247
Paquet / cas TO-247-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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