Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APTGT50DH60T1G
Référence fabricantAPTGT50DH60T1G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible180490 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOD IGBT 600V 80A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APTGT50DH60T1G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange APTGT50DH60T1G

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Microsemi Corporation Distributeur

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