Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APTM100VDA35T3G
Référence fabricantAPTM100VDA35T3G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible165060 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APTM100VDA35T3G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Puissance - Max 390W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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