Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APTM120DU29TG
Référence fabricantAPTM120DU29TG
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible120600 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APTM120DU29TG
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Puissance - Max 780W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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