Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com AUIRF7341Q
Référence fabricantAUIRF7341Q
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible181380 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article AUIRF7341Q
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Puissance - Max 2.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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